2N7002L vs 2N7002V

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002L und 2N7002V bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002L

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2923 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

2N7002V

Fairchild Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
4358 Stückzahl
Package
SOT-666
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification 2N7002L 2N7002V
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 115mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50pF @ 25V
Power - Max - 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta) -
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