2N7002KT1G vs 2N7002NXAKR

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002KT1G und 2N7002NXAKR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002KT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2832 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

2N7002NXAKR

Nexperia USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 2910 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	2N7002KT1G	2N7002NXAKR
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	320mA (Ta)	190mA (Ta), 300mA (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V	4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.7 nC @ 4.5 V	0.43 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	24.5 pF @ 20 V	20 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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