2SB1184TLR vs 2SB1121T-TD-E

Dieser detaillierte Vergleich von 2SB1184TLR und 2SB1121T-TD-E bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2SB1184TLR

Rohm Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 5357 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

2SB1121T-TD-E

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 752 Stückzahl
Package: TO-243AA
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Full specification comparison

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Specification	2SB1184TLR	2SB1121T-TD-E
Supplier	Rohm Semiconductor	onsemi
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	3 A	2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 200mA, 2A	600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff(Max)	1µA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	180 @ 500mA, 3V	100 @ 100mA, 2V
Power - Max	1 W	500 mW
Frequency - Transition	70MHz	150MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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