2SB1188T100R vs 2SB1121T-TD-E

Dieser detaillierte Vergleich von 2SB1188T100R und 2SB1121T-TD-E bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2SB1188T100R

Rohm Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
22803 Stückzahl
Package
TO-243AA
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
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Specification 2SB1188T100R 2SB1121T-TD-E
Supplier Rohm Semiconductor onsemi
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 2 A 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 32 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 800mV @ 200mA, 2A 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 180 @ 500mA, 3V 100 @ 100mA, 2V
Power - Max 2 W 500 mW
Frequency - Transition 100MHz 150MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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