70V659S12DRGI vs 70V657S10DRG8

Dieser detaillierte Vergleich von 70V659S12DRGI und 70V657S10DRG8 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

70V659S12DRGI

Renesas Electronics America Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 1522 Stückzahl
Package: PQFP-208
Series: Speicher

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Part B

70V657S10DRG8

Renesas Electronics America Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 6664 Stückzahl
Package: BFQFP-208
Series: Speicher

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Full specification comparison

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Specification	70V659S12DRGI	70V657S10DRG8
Supplier	-	Renesas Electronics America Inc
Part Status	Active	Obsolete
Memory Type	Volatile	Volatile
Memory Format	SRAM	SRAM
Technology	SRAM - Dual Port, Asynchronous	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Memory Size	4.5Mb (128K x 36)	1.125Mb (32K x 36)
Memory Interface	Parallel	Parallel
Write Cycle Time - Word Page	12ns	10ns
Access Time	12 ns	10 ns
Voltage - Supply	3.15V ~ 3.45V	3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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