AOD4185 vs AOD4189
Dieser detaillierte Vergleich von AOD4189 und AOD4185 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-252-3
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 40A TO252
MOSFET P-CH 40V 40A TO252
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
40A (Tc)
40A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
22mOhm @ 12A, 10V
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
41 nC @ 10 V
55 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1870 pF @ 20 V
2550 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
