AON6992 vs AON6922
Dieser detaillierte Vergleich von AON6992 und AON6922 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-WDFN Exposed Pad
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A 8DFN
MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN
Supplier
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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18A, 31A
RdsOn(Max)@IdVgs
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3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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1.7V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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32nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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2340pF @ 12.5V
Power-Max
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2W, 2.2W
OperatingTemperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
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Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
AON699
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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