AON6998 vs AON6994
Dieser detaillierte Vergleich von AON6994 und AON6998 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-PowerWDFN
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
AON699
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A, 26A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 15V
-
Power - Max
3.1W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Supplier
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
19A, 26A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
13nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
820pF @ 15V
Power-Max
-
3.1W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
