AON7408 vs AON7401
Dieser detaillierte Vergleich von AON7401 und AON7408 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
PowerVDFN-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
AON740
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±25V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Not For New Designs
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
10A (Ta), 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.6V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
448 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
3.1W (Ta), 11W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
