APT30DQ60BG vs APT30GS60KRG Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von APT30DQ60BG und APT30GS60KRG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-2
TO-220-3
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
IGBT 600V 54A 250W TO220
Supplier
-
Microchip Technology
Part Status
Active
Obsolete
IGBT Type
-
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
-
600 V
Current - Collector(Ic)(Max)
-
54 A
Current - Collector Pulsed(Icm)
-
113 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic
-
3.15V @ 15V, 30A
Power - Max
-
250 W
Switching Energy
-
570µJ (off)
Input Type
-
Standard
Gate Charge
-
145 nC
Td(on / off) @ 25°C
-
16ns/360ns
Test Condition
-
400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
Diode Type
Standard
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
-
Current - Average Rectified(Io)
30A
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.4 V @ 30 A
-
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
25 µA @ 600 V
-
