AUIRF2804STRL vs AUIRF5210S Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von AUIRF2804STRL und AUIRF5210S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-263-3
TO-263-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
195A (Tc)
38A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2mOhm @ 75A, 10V
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
230 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
6450 pF @ 25 V
2780 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
