AUIRFS4310Z vs AUIRF4905

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRFS4310Z und AUIRF4905 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRFS4310Z

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5888 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

AUIRF4905

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle: Active
Stock: 7041 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	AUIRFS4310Z	AUIRF4905
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 75A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6860 pF @ 50 V	-
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)	200W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automotive	-
Qualification	AEC-Q101	-
Mounting Type	Surface Mount	Through Hole
Packaging	Tube	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	74A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	180 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	3400 pF @ 25 V

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