AUIRF7342QTR vs AUIRF7343Q

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRF7342QTR und AUIRF7343Q bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7342QTR

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3197 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

AUIRF7343Q

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2544 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	AUIRF7342QTR	AUIRF7343Q
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V	55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.4A	4.7A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs	105mOhm @ 3.4A, 10V	50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	38nC @ 10V	36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	690pF @ 25V	740pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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