AUIRS2181STR vs AUIRS2110S Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRS2181STR und AUIRS2110S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
AUIRS2181STR

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5680 Stückzahl | Infineon-Technologien
AUIRS2110S

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5519 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-W-16
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A 2.5A, 2.5A
Input Type Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 15ns, 15ns 25ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : AUIRS2181STR AUIRS2110S

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