AUIRS2181STR vs AUIRS2113STR

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRS2113STR und AUIRS2181STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
AUIRS2113STR

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3227 Stückzahl | Infineon-Technologien
AUIRS2181STR

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5680 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number AUIRS2113 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2.5A, 2.5A -
Input Type Non-Inverting -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 15ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Grade Automotive -
Qualification AEC-Q100 -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tape & Reel (TR) -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.9A, 2.3A
InputType - Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 15ns, 15ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : AUIRS2113STR AUIRS2181STR

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