BAS16,215 vs BAS16DXV6T5G

Dieser detaillierte Vergleich von BAS16,215 und BAS16DXV6T5G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAS16,215

NXP Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 7003 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Dioden-Gleichrichter

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Part B

BAS16DXV6T5G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2403 Stückzahl
Package: SOT-666
Series: Dioden.Gleichrichter.Arrays

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Full specification comparison

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Specification	BAS16,215	BAS16DXV6T5G
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Diode Configuration	-	2 Independent
Diode Type	Standard	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V	75 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode)	-	200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA	1.25 V @ 150 mA
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	4 ns	6 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	500 nA @ 80 V	1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction	-	-55°C ~ 150°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	Automotive, AEC-Q101, BAS16	-
Current - Average Rectified(Io)	215mA (DC)	-
Capacitance @ Vr F	1.5pF @ 0V, 1MHz	-

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