BAS16HT3G vs BAS16UE6727HTSA1

Dieser detaillierte Vergleich von BAS16HT3G und BAS16UE6727HTSA1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAS16HT3G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6245 Stückzahl
Package: SOD-323
Series: Dioden-Gleichrichter

+Stückliste Anfrage

Part B

BAS16UE6727HTSA1

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 8720 Stückzahl
Package: SOT-457
Series: Dioden.Gleichrichter.Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BAS16HT3G	BAS16UE6727HTSA1
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	-	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Last Time Buy
Diode Configuration	-	3 Independent
Diode Type	Standard	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V	80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode)	-	100mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA	1.2 V @ 100 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	6 ns	4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 75 V	1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction	-	150°C (Max)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Average Rectified(Io)	200mA (DC)	-
Capacitance @ Vr F	2pF @ 0V, 1MHz	-

Compare Anfrage