BAS21AHT1G vs BAS21J Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BAS21AHT1G und BAS21J bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BAS21AHT1G

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13599 Stückzahl | Onsemi
BAS21J

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5089 Stückzahl | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Paket SOD-323 SOD-323
Beschreibung DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 GEN PURP DIODE 300V 0.225A SOD-
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Part Status Active Active
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 250 V -
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 200 mA -
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed -
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 nA @ 200 V -
Capacitance @ Vr F 5pF @ 0V, 1MHz -
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BAS21AHT1G BAS21J

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