BAS70-04LT1G vs BAS70-07V,115

Dieser detaillierte Vergleich von BAS70-04LT1G und BAS70-07V,115 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAS70-04LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5499 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Dioden.Gleichrichter.Arrays

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Part B

BAS70-07V,115

NXP Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 4101 Stückzahl
Package: SOT-666
Series: Dioden.Gleichrichter.Arrays

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Full specification comparison

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Specification	BAS70-04LT1G	BAS70-07V,115
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
Diode Configuration	1 Pair Series Connection	2 Independent
Diode Type	Schottky	Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	70 V	70 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode)	100mA (DC)	70mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 15 mA	1 V @ 15 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 70 V	10 µA @ 70 V
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C	150°C (Max)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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