BAV70,215 vs BAV70LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von BAV70LT1G und BAV70,215 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BAV70LT1G

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1967 Stückzahl | Onsemi
BAV70,215

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7214 Stückzahl | NXP USA Inc.
Paket SOT-23-3 SOT-23-3
Beschreibung DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23 NEXPERIA BAV70 - HIGH-SPEED SWI
ProductStatus Active Active
DiodeConfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V 100 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 200mA (DC) 215mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 4 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 2.5 µA @ 70 V 500 nA @ 80 V
OperatingTemperature-Junction -55°C ~ 150°C 150°C (Max)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BAV70LT1G BAV70,215

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