BAV99LT3G vs BAV99E6327
Dieser detaillierte Vergleich von BAV99LT3G und BAV99E6327 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-236-3
TO-236-3
Beschreibung
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Supplier
onsemi
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Obsolete
DiodeConfiguration
1 Pair Series Connection
1 Pair Series Connection
DiodeType
Standard
Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max)
100 V
80 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode)
215mA (DC)
200mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If
1.25 V @ 150 mA
1.25 V @ 150 mA
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr)
6 ns
4 ns
Current-ReverseLeakage@Vr
2.5 µA @ 70 V
150 nA @ 70 V
OperatingTemperature-Junction
-65°C ~ 150°C
150°C (Max)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
