BAV99LT3G vs BAV99HMT116

Dieser detaillierte Vergleich von BAV99LT3G und BAV99HMT116 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BAV99LT3G

+Stückliste

12125 Stückzahl | Onsemi
BAV99HMT116

+Stückliste

6628 Stückzahl | Rohm Halbleiter
Paket TO-236-3 TO-236-3
Beschreibung DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23 PMDU RECTIFYING DIODE
Supplier onsemi Rohm Semiconductor
ProductStatus Active Active
DiodeConfiguration 1 Pair Series Connection 1 Pair Series Connection
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V 80 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 215mA (DC) 215mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 4 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 2.5 µA @ 70 V 100 nA @ 80 V
OperatingTemperature-Junction -65°C ~ 150°C 150°C (Max)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BAV99LT3G BAV99HMT116

+Stückliste Anfrage