BC807-40LT1G vs BC807-40W

Dieser detaillierte Vergleich von BC807-40LT1G und BC807-40W bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BC807-40W

Diotec Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
5284 Stückzahl
Package
SOT-323
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Specification BC807-40LT1G BC807-40W
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100mA, 1V 250 @ 100mA, 1V
Power - Max 300 mW 310 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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