BC817-25LT1G vs BC817UPNB6327XT

Dieser detaillierte Vergleich von BC817-25LT1G und BC817UPNB6327XT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC817-25LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4995 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

BC817UPNB6327XT

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 8870 Stückzahl
Package: SOT-457
Series: Transistoren, Bipolar (BJT-Arrays)

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Full specification comparison

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Specification	BC817-25LT1G	BC817UPNB6327XT
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Transistor Type	NPN	NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	700mV @ 50mA, 500mA	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	160 @ 100mA, 1V	160 @ 100mA, 1V
Power - Max	300 mW	330mW
Frequency - Transition	100MHz	170MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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