BC847BLT1G vs BC847BVN115

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BLT1G und BC847BVN115 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BLT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6873 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Specification BC847BLT1G BC847BVN115
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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