BC848CLT1G vs BC848CDXV6T1G

Dieser detaillierte Vergleich von BC848CLT1G und BC848CDXV6T1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC848CLT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3580 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC848CLT1G BC848CDXV6T1G
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN 2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 30 V 30V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 420 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 500mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount