BC857BDW1T1G vs BC857S

Dieser detaillierte Vergleich von BC857BDW1T1G und BC857S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part B

BC857S

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7134 Stückzahl
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
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Specification BC857BDW1T1G BC857S
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Series - Bulk
Transistor Type 2 PNP (Dual) Active
Part Status Active -
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V -
Power - Max 380mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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