BCP56-10 vs BCP56-10T3G

Dieser detaillierte Vergleich von BCP56-10 und BCP56-10T3G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BCP56-10

Diotec Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
3961 Stückzahl
Package
TO-261-4
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Specification BCP56-10 BCP56-10T3G
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 1 A 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 63 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V
Power - Max 2 W 1.5 W
Frequency - Transition 100MHz 130MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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