BSS131H6327XTSA1 vs BSS138W

Dieser detaillierte Vergleich von BSS131H6327XTSA1 und BSS138W bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BSS138W

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7054 Stückzahl
Package
SOT-323
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification BSS131H6327XTSA1 BSS138W
Series SIPMOS® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 110mA (Ta) 210mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 14Ohm @ 100mA, 10V 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 56µA 1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.1 nC @ 10 V 1.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 77 pF @ 25 V 38 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta) 340mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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