BYG10M-E3/TR vs BYG10D Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von BYG10M-E3/TR und BYG10D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
DO-214AC
DO-214AC
Beschreibung
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
ST Rect, 200V, 1.5A
Supplier
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DComponents
Part Status
Active
Active
Diode Type
Avalanche
Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
200 V
Current - Average Rectified(Io)
1.5A
1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.15 V @ 1.5 A
1.15 V @ 1.5 A
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
4 µs
1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 1000 V
5 µA @ 200 V
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
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