C3M0065090J vs C3M0015065K Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von C3M0015065K und C3M0065090J bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-4
TO-263-7
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Series
C3M™
C3M™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
120A (Tc)
35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
15V
15V
Rds On(Max) @ Id Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.6V @ 15.5mA
2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
188 nC @ 15 V
30 nC @ 15 V
Vgs(Max)
+15V, -4V
+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
5011 pF @ 400 V
660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)
416W (Tc)
113W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Surface Mount
