CSD17310Q5A vs CSD17573Q5B
Dieser detaillierte Vergleich von CSD17573Q5B und CSD17310Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
100A (Ta)
21A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs
1mOhm @ 35A, 10V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
1.8V @ 250µA
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
64 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
+10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
9000 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
3.1W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
