CSD18532Q5B vs CSD18502Q5B
Dieser detaillierte Vergleich von CSD18502Q5B und CSD18532Q5B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
26A (Ta), 100A (Tc)
100A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
2.3mOhm @ 30A, 10V
3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.2V @ 250µA
2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
68 nC @ 10 V
58 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5070 pF @ 20 V
5070 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
