CSD18533Q5A vs CSD18511Q5A
Dieser detaillierte Vergleich von CSD18511Q5A und CSD18533Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
Base Product Number
CSD18511
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
159A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 24A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5850 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
17A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
5.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
36 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
2750 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max)
-
3.2W (Ta), 116W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
