CSD18510Q5B vs CSD18537NQ5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD18510Q5B und CSD18537NQ5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
4657 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD18537NQ5A

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
2636 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD18510Q5B CSD18537NQ5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300A (Tc) 50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.96mOhm @ 32A, 10V 13mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.3V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11400 pF @ 20 V 1480 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage