CSD18563Q5A vs CSD18537NQ5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD18563Q5A und CSD18537NQ5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18563Q5A

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 1774 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

CSD18537NQ5A

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2636 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	CSD18563Q5A	CSD18537NQ5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Ta)	50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V	13mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.4V @ 250µA	3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	18 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	1480 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 116W (Tc)	3.2W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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