DG211BDY-T1-E3 vs DG211CY Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von DG211BDY-T1-E3 und DG211CY bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG211BDY-T1-E3

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2205 Stückzahl | Vishay Siliconix
DG211CY

+Stückliste

4893 Stückzahl | Renesas Electronics America Inc.
Paket SOIC-16 SOIC-16
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 85Ohm 175Ohm
Voltage - Supply, Dual (V±) ±4.5V ~ 22V ±15V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 300ns, 200ns 460ns, 450ns
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 5pF, 5pF 5pF, 5pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 500pA 5nA
Crosstalk -95dB @ 100kHz -90dB @ 100kHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Channel - to - Channel Matching(ΔRon) 2Ohm -
Voltage - Supply, Single (V+) 4.5V ~ 25V -
Charge Injection 1pC -
Vergleichsmodell : DG211BDY-T1-E3 DG211CY

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