DG211CSE vs DG211BDJ-E3

Dieser detaillierte Vergleich von DG211CSE und DG211BDJ-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG211CSE

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3786 Stückzahl | Analog Devices Inc./Maxim Integrated
DG211BDJ-E3

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102 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 16-DIP (0.300, 7.62mm)
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
Supplier Analog Devices Inc./Maxim Integrated Vishay Siliconix
ProductStatus Obsolete Active
SwitchCircuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer/DemultiplexerCircuit 1:1 1:1
NumberofCircuits 4 4
On-StateResistance(Max) 175Ohm 85Ohm
Channel-to-ChannelMatching(ΔRon) - 2Ohm
Voltage-SupplySingle(V+) - 4.5V ~ 25V
Voltage-SupplyDual(V±) ±4.5V ~ 18V ±4.5V ~ 22V
SwitchTime(TonToff)(Max) 1µs, 500ns 300ns, 200ns
ChargeInjection - 1pC
ChannelCapacitance(CS(off)CD(off)) 5pF, 5pF 5pF, 5pF
Current-Leakage(IS(off))(Max) 5nA 500pA
Crosstalk -90dB @ 100kHz -95dB @ 100kHz
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount Through Hole
Vergleichsmodell : DG211CSE DG211BDJ-E3

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