DG409DVZ-T vs DG409LDY-E3

Dieser detaillierte Vergleich von DG409DVZ-T und DG409LDY-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG409DVZ-T

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8699 Stückzahl | Renesas Electronics Corporation
DG409LDY-E3

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8317 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket SOIC-16
Beschreibung IC SWITCH SP4TX2 100OHM 16TSSOP IC MUX CMOS ANG DUAL 8CH 16SOIC
Part Status Active -
Base Product Number DG409 -
Switch Circuit SP4T -
Multiplexer/Demultiplexer Circuit 4:1 -
Number of Circuits 2 -
On-State Resistance (Max) 100Ohm -
Channel-to-Channel Matching (ΔRon) 15Ohm (Max) -
Voltage - Supply, Single (V+) 5V ~ 34V -
Voltage - Supply, Dual (V±) ±5V ~ 20V -
Switch Time (Ton, Toff) (Max) 150ns, 150ns -
Charge Injection 20pC -
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)) 3pF, 14pF -
Current - Leakage (IS(off)) (Max) 500pA -
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Supplier - Vishay Siliconix
ProductStatus - Obsolete
SwitchCircuit - SP4T
Multiplexer/DemultiplexerCircuit - 4:1
NumberofCircuits - 2
On-StateResistance(Max) - 29Ohm
Channel-to-ChannelMatching(ΔRon) - 1Ohm
Voltage-SupplySingle(V+) - 2V ~ 12V
Voltage-SupplyDual(V±) - ±3V ~ 6V
SwitchTime(TonToff)(Max) - 55ns, 25ns
ChargeInjection - 1pC
ChannelCapacitance(CS(off)CD(off)) - 7pF, 20pF
Current-Leakage(IS(off))(Max) - 1nA
Crosstalk - -82dB @ 100kHz
OperatingTemperature - -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : DG409DVZ-T DG409LDY-E3

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