DG411DY-T1-E3 vs DG411HSDY Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von DG411DY-T1-E3 und DG411HSDY bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG411DY-T1-E3

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6176 Stückzahl | Vishay Siliconix
DG411HSDY

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5209 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket SOIC-16 SOIC-16
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16-SOIC
Supplier - Vishay Siliconix
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 35Ohm 35Ohm
Voltage - Supply, Single (V+) 5V ~ 44V 12V
Voltage - Supply, Dual (V±) ±5V ~ 20V ±5V ~ 20V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 175ns, 145ns 105ns, 80ns
Charge Injection 5pC 22pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 9pF, 9pF 12pF, 12pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 250pA 250pA
Crosstalk -85dB @ 1MHz -88dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : DG411DY-T1-E3 DG411HSDY

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