DG412DQ-T1-E3 vs DG412CJ Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von DG412DQ-T1-E3 und DG412CJ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG412DQ-T1-E3

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3913 Stückzahl | Vishay Siliconix
DG412CJ

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5851 Stückzahl | Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Paket TSSOP-16 DIP-16
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPST TSSOP16 IC SWITCH ANLG SPST QUAD 16DIP
Supplier Vishay Siliconix Rochester Electronics, LLC,Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NO SPST - NO
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 35Ohm 45Ohm
Voltage - Supply, Dual (V±) ±15V ±4.5V ~ 20V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 175ns, 145ns 175ns, 145ns
Charge Injection 5pC 5pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 9pF, 9pF 9pF, 9pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 250pA 250pA
Crosstalk -85dB @ 1MHz -85dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Through Hole
Channel - to - Channel Matching(ΔRon) - 3Ohm (Max)
Voltage - Supply, Single (V+) - 10V ~ 30V
Vergleichsmodell : DG412DQ-T1-E3 DG412CJ

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