DG419DY-T1-E3 vs DG419BDY Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von DG419DY-T1-E3 und DG419BDY bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG419DY-T1-E3

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7073 Stückzahl | Vishay Siliconix
DG419BDY

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4433 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
Supplier - Vishay Siliconix
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPDT SPDT
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 2:1 2:1
Number of Circuits 1 1
On - State Resistance(Max) 35Ohm 25Ohm
Voltage - Supply, Single (V+) 12V 12V
Voltage - Supply, Dual (V±) ±15V ±15V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 175ns, 145ns 89ns, 80ns
Charge Injection 60pC 38pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 8pF, 8pF 12pF, 12pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 250pA 250pA
Crosstalk - -88dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : DG419DY-T1-E3 DG419BDY

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