DG419DY+ vs DG419DY-T1-E3
Dieser detaillierte Vergleich von DG419DY+ und DG419DY-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
ProductStatus
-
Active
SwitchCircuit
-
SPDT
Multiplexer/DemultiplexerCircuit
-
2:1
NumberofCircuits
-
1
On-StateResistance(Max)
-
35Ohm
Voltage-SupplySingle(V+)
-
12V
Voltage-SupplyDual(V±)
-
±15V
SwitchTime(TonToff)(Max)
-
175ns, 145ns
ChargeInjection
-
60pC
ChannelCapacitance(CS(off)CD(off))
-
8pF, 8pF
Current-Leakage(IS(off))(Max)
-
250pA
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 85°C (TA)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
DG419
-
Voltage - Supply, Single (V+)
12V
-
Voltage - Supply, Dual (V±)
±15V
-
Switch Time (Ton, Toff) (Max)
175ns, 145ns
-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))
8pF, 8pF
-
Packaging
Tube
-
