DMG1013T-7 vs DMG1012UW-7

Dieser detaillierte Vergleich von DMG1013T-7 und DMG1012UW-7 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1013T-7

Dioden Incorporated

Lifecycle: Active
Stock: 3936 Stückzahl
Package: SOT-523
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

DMG1012UW-7

Dioden Incorporated

Lifecycle: Active
Stock: 5608 Stückzahl
Package: SOT-323-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	DMG1013T-7	DMG1012UW-7
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	460mA (Ta)	1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	1.8V, 4.5V	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	700mOhm @ 350mA, 4.5V	450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.622 nC @ 4.5 V	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±6V	±6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	59.76 pF @ 16 V	60.67 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)	270mW (Ta)	290mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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