DMG1012T-7 vs DMG1029SV-7

Dieser detaillierte Vergleich von DMG1012T-7 und DMG1029SV-7 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1012T-7

Dioden Incorporated

Lifecycle: Active
Stock: 6439 Stückzahl
Package: SOT-523-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

DMG1029SV-7

Dioden Incorporated

Lifecycle: Active
Stock: 4091 Stückzahl
Package: SOT-563-6
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	DMG1012T-7	DMG1029SV-7
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N and P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	630mA (Ta)	500mA, 360mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	1.8V, 4.5V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V	1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.74 nC @ 4.5 V	0.3nC @ 4.5V
Vgs(Max)	±6V	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	60.67 pF @ 16 V	30pF @ 25V
Power Dissipation (Max)	280mW (Ta)	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	-	Logic Level Gate
Power - Max	-	450mW

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