FDC6312P vs FDC638P
Dieser detaillierte Vergleich von FDC638P und FDC6312P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SSOT-6
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDC638
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
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Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
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Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
7nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
467pF @ 10V
Power-Max
-
700mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
