FDMS8018 vs FDMS8050ET30 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS8018 und FDMS8050ET30 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
285 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
FDMS80
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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