FDMS86101 vs FDMS86252

Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86101 und FDMS86252 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMS86101

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2279 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMS86252

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7396 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Specification FDMS86101 FDMS86252
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 12.4A (Ta), 60A (Tc) 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 8mOhm @ 13A, 10V 51mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3000 pF @ 50 V 905 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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