FDMS86500L vs FDMS8050ET30

Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86500L und FDMS8050ET30 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDMS86500L

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3874 Stückzahl | Onsemi
FDMS8050ET30

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4401 Stückzahl | Onsemi
Paket TDFN-8 TDFN-8
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Not For New Designs
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Ta), 80A (Tc) 55A (Ta), 423A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.5mOhm @ 25A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 750µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 165 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 12530 pF @ 30 V 22610 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDMS86500L FDMS8050ET30

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