FDS6982AS vs FDS6982S

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6982AS und FDS6982S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6982AS

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7518 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDS6982S

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3214 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDS6982AS FDS6982S
Series PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Part Status Obsolete Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 6.3A, 8.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 2040pF @ 10V
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - FDS69
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.3A, 8.6A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 28mOhm @ 6.3A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15nC @ 10V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 610pF @ 10V -
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